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  Atomistic modelling of nitrogen related defects in Cz-silicon

Fujita, N., & Jones, R. (n.d.). Atomistic modelling of nitrogen related defects in Cz-silicon.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-5620-6 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-5622-2
Genre: Konferenzbeitrag

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Fujita, N.1, Autor
Jones, R., Autor
Affiliations:
1Max Planck Society, ou_persistent13              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum:
 Publikationsstatus: Keine Angabe
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 379052
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Proceedings of the 5th Forum on the Science and Technology of Silcion
Genre der Quelle: Reihe
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: - Artikelnummer: - Start- / Endseite: - Identifikator: -