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Hydrogen and acceptor compensation in GaN

Van de Walle, C. G., Johnson, N. M., & Neugebauer, J. (1999). Hydrogen and acceptor compensation in GaN. In S. Strite, I. Akasaki, H. Amano, & C. Wetzel (Eds.), Properties, Processing and Applications of Gallium Nitride and Related Semiconductors (pp. 317-321). INSPEC.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-1D8D-6 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0007-6DF7-9

Genre: Buchkapitel

Dateien

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Externe Referenzen

Urheber

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Urheber:
Van de Walle, Chris G.¹, Autor
Johnson, N. M., Autor
Neugebauer, Jörg², Autor

Affiliations:
1Max Planck Society, ou_persistent13
2Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634547

Inhalt

Details

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Sprache(n): eng - English

Datum: Erschienen: 1999

Publikationsstatus: Erschienen

Seiten: -

Ort, Verlag, Ausgabe: -

Inhaltsverzeichnis: -

Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung

Identifikatoren: eDoc: 2448

Art des Abschluß: -

Veranstaltung

Entscheidung

Projektinformation

Quelle 1

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Titel: Properties, Processing and Applications of Gallium Nitride and Related Semiconductors

Genre der Quelle: Buch

Urheber:
Strite, S., Herausgeber
Akasaki, I., Herausgeber
Amano, H., Herausgeber
Wetzel, C., Herausgeber

Affiliations:
-

Ort, Verlag, Ausgabe: INSPEC

Seiten: 656 Band / Heft: - Artikelnummer: - Start- / Endseite: 317 - 321 Identifikator: ISBN: 0-85296-953-8

Quelle 2

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Titel: EMIS datareview series

Genre der Quelle: Reihe

Urheber:

Affiliations:

Ort, Verlag, Ausgabe: -

Seiten: - Band / Heft: 23 Artikelnummer: - Start- / Endseite: - Identifikator: -