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  Surfaces and growth of group-III nitrides

Neugebauer, J., Zywietz, T. K., Scheffler, M., & Northrup, J. E. (1999). Surfaces and growth of group-III nitrides. In D. Gershoni (Ed.), 24th International Conference on the Physics of Semiconductors: Jerusalem, Israel, August 2 - 7, 1998 (pp. 235-242). Singapore: World Scientific.

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Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Neugebauer, Jörg1, Autor           
Zywietz, Tosja K.1, Autor           
Scheffler, Matthias1, Autor           
Northrup, J. E., Autor
Affiliations:
1Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634547              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 1999
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: 8
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 2434
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Titel: 24th International Conference on the Physics of Semiconductors
Veranstaltungsort: Jerusalem, Israel
Start-/Enddatum: 1998-08-02 - 1998-08-07

Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: 24th International Conference on the Physics of Semiconductors : Jerusalem, Israel, August 2 - 7, 1998
Genre der Quelle: Konferenzband
 Urheber:
Gershoni, Davis, Herausgeber
Affiliations:
-
Ort, Verlag, Ausgabe: Singapore : World Scientific
Seiten: - Band / Heft: - Artikelnummer: - Start- / Endseite: 235 - 242 Identifikator: ISBN: 9810236131