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  Gallium nitride thin layers via a liquid precursor route.

Puchinger, M., Wagner, T., Rodewald, D., Bill, J., Aldinger, F., & Lange, F. F. (2000). Gallium nitride thin layers via a liquid precursor route. Journal of Crystal Growth, 208, 153-159.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-37D3-0 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-37D4-E
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Puchinger, M.1, Autor           
Wagner, T.2, Autor           
Rodewald, D., Autor
Bill, J.3, Autor           
Aldinger, F.3, 4, Autor           
Lange, F. F., Autor
Affiliations:
1Former Dept. Micro/Nanomechanics of Thin Films and Biological Systems, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497655              
2Central Scientific Facility Thin Film Laboratory, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497640              
3Universität Stuttgart, Institut für Nichtmetallische Anorganische Materialien, ou_persistent22              
4Former Dept. Materials Synthesis and Microstructure Design, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497654              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Metallforschung; Abt. Aldinger;
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n):
 Datum: 2000
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 198692
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Journal of Crystal Growth
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 208 Artikelnummer: - Start- / Endseite: 153 - 159 Identifikator: -