Ab initio Multiskalensimulationen zu Defekten und zum Wachstum von 
breitlückigen Halbleitern

Neugebauer, J.

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Ab initio Multiskalensimulationen zu Defekten und zum Wachstum von breitlückigen Halbleitern

Neugebauer, J. (2005). Ab initio Multiskalensimulationen zu Defekten und zum Wachstum von breitlückigen Halbleitern. Talk presented at SiC-Kolloquium. Universität Erlangen-Nürnberg. 2005-01-20 - 2005-01-21.

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Item Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-60EA-F Version Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-60EC-B

Genre: Talk

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Neugebauer, J.¹, Author

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1Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863337

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Identifiers: eDoc: 289328

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Title: SiC-Kolloquium

Place of Event: Universität Erlangen-Nürnberg

Start-/End Date: 2005-01-20 - 2005-01-21

Invited: Yes

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