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  Preparation and optical properties of Ge and C-induced Ge dots on Si

Eberl, K., Schmidt, O. G., Kienzle, O., & Ernst, F. (2000). Preparation and optical properties of Ge and C-induced Ge dots on Si. In S. Moss (Ed.), Semiconductor Quantum Dots (pp. 355-362). Warrendale, Pa.: MRS.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-378C-3 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-378D-1
Genre: Konferenzbeitrag

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Eberl, K., Autor
Schmidt, O. G., Autor
Kienzle, O.1, Autor           
Ernst, F.1, Autor           
Affiliations:
1Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497657              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Metallforschung; Ehemalige Abt. Rühle;
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2000
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 43785
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Titel: Semiconductor Quantum Dots. Symposium
Veranstaltungsort: San Francisco, Calif., U.S.A.
Start-/Enddatum: 1999-04-05 - 1999-04-08

Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Semiconductor Quantum Dots
Genre der Quelle: Konferenzband
 Urheber:
Moss, S.C., Herausgeber
Affiliations:
-
Ort, Verlag, Ausgabe: Warrendale, Pa. : MRS
Seiten: - Band / Heft: - Artikelnummer: - Start- / Endseite: 355 - 362 Identifikator: -

Quelle 2

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Titel: Materials Research Society Symposia proceedings
Genre der Quelle: Reihe
 Urheber:
Materials Research Society, Herausgeber  
Affiliations:
-
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 571 Artikelnummer: - Start- / Endseite: - Identifikator: -