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  Quasiparticle Transformation during a Metal-Insulator Transition in Graphene

Bostwick, A., McChesney, J. L., Emtsev, K. V., Seyller, T., Horn, K., Kevan, S. D., et al. (2009). Quasiparticle Transformation during a Metal-Insulator Transition in Graphene. Physical Review Letters, 103(5), 056404-1-056404-4. doi:10.1103/PhysRevLett.103.056404.

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0904.2249v1.pdf
Beschreibung:
arXiv:0904.2249v1 [cond-mat.mes-hall] 15 Apr 2009
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Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Bostwick, Aaron, Autor
McChesney, Jessica L., Autor
Emtsev, Konstantin V., Autor
Seyller, Thomas, Autor
Horn, Karsten1, Autor           
Kevan, Stephan D., Autor
Rotenberg, Eli, Autor
Affiliations:
1Molecular Physics, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634545              

Inhalt

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Schlagwörter: -
 Zusammenfassung: Here we show, with simultaneous transport and photoemission measurements, that the grapheneterminated SiC(0001) surface undergoes a metal-insulator transition upon dosing with small amounts of atomic hydrogen. We find the room temperature resistance increases by about 4 orders of magnitude, a transition accompanied by anomalies in the momentum-resolved spectral function including a non-Fermiliquid behavior and a breakdown of the quasiparticle picture. These effects are discussed in terms of a possible transition to a strongly (Anderson) localized ground state.

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2009-07-31
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Physical Review Letters
  Alternativer Titel : Phys. Rev. Lett.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 103 (5) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 056404-1 - 056404-4 Identifikator: -