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First-principles calculations on CVD growth and doping in group-III-nitride semiconductors

Neugebauer, J. (2007). First-principles calculations on CVD growth and doping in group-III-nitride semiconductors. Talk presented at EuroCVD16 - Sixteenth European Conference on Chemical Vapor Deposition. The Hague, The Netherlands. 2007-09-16 - 2007-09-21.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-5058-7 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-505A-3

Genre: Vortrag

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Urheber

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Urheber:
Neugebauer, J.¹, Autor

Affiliations:
1Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863337

Inhalt

Details

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Sprache(n): eng - English

Datum:

Publikationsstatus: Keine Angabe

Seiten: -

Ort, Verlag, Ausgabe: -

Inhaltsverzeichnis: -

Art der Begutachtung: -

Identifikatoren: eDoc: 319952

Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Titel: EuroCVD16 - Sixteenth European Conference on Chemical Vapor Deposition

Veranstaltungsort: The Hague, The Netherlands

Start-/Enddatum: 2007-09-16 - 2007-09-21

Eingeladen: Ja

Entscheidung

Projektinformation

Quelle