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  Ab initio EPR parameters for dangling-bond defect complexes in silicon: Effect of Jahn-Teller distortion

Pfanner, G., Freysoldt, C., Neugebauer, J., & Gerstmann, U. (2012). Ab initio EPR parameters for dangling-bond defect complexes in silicon: Effect of Jahn-Teller distortion. Physical Review B, 85(19): 195202, pp. 1-8. doi:10.1103/PhysRevB.85.195202.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-29C5-6 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-002E-23A8-6
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Pfanner, Gernot1, Autor           
Freysoldt, Christoph1, Autor           
Neugebauer, Jörg2, Autor           
Gerstmann, Uwe3, Autor           
Affiliations:
1Defect Chemistry and Spectroscopy, Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863342              
2Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863337              
3Lehrstuhl für Theoretische Physik, Universität Paderborn, 33095 Paderborn, Germany, ou_persistent22              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2012-05-04
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 614921
DOI: 10.1103/PhysRevB.85.195202
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Physical Review B
  Kurztitel : Phys. Rev. B
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: Woodbury, NY : American Physical Society
Seiten: 8 Band / Heft: 85 (19) Artikelnummer: 195202 Start- / Endseite: 1 - 8 Identifikator: ISSN: 1098-0121
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954925225008