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  High structural order in thin films of the organic semiconductor diindenoperylene

Dürr, A. C., Schreiber, F., Münch, M., Karl, N., Krause, B., Kruppa, V., et al. (2002). High structural order in thin films of the organic semiconductor diindenoperylene. Applied Physics Letters, 81(12), 2276-2278.

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Basisdaten

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Genre: Zeitschriftenartikel
Alternativer Titel : Appl. Phys. Lett.

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:
14-do_2002.pdf (Zusammenfassung), 81KB
 
Datei-Permalink:
-
Name:
14-do_2002.pdf
Beschreibung:
-
OA-Status:
Sichtbarkeit:
Eingeschränkt (Max Planck Institute for Intelligent Systems, MSMT; )
MIME-Typ / Prüfsumme:
application/pdf
Technische Metadaten:
Copyright Datum:
-
Copyright Info:
eDoc_access: INSTITUT
Lizenz:
-

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Dürr, A. C.1, Autor           
Schreiber, F.2, Autor           
Münch, M.3, Autor
Karl, N.3, Autor
Krause, B.1, Autor           
Kruppa, V.1, Autor           
Dosch, H.1, 4, Autor           
Affiliations:
1Dept. Metastable and Low-Dimensional Materials, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497645              
2Dept. Phase Transformations; Thermodynamics and Kinetics, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497644              
3Univ Stuttgart, D-70550 Stuttgart, Germany, ou_persistent22              
4Universität Stuttgart, Institut für Theoretische und Angewandte Physik, ou_persistent22              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Metallforschung; Abt. Dosch;
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2002-09-16
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 6717
ISI: 000177911200045
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Applied Physics Letters
  Alternativer Titel : Appl. Phys. Lett.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 81 (12) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 2276 - 2278 Identifikator: ISSN: 0003-6951