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  Reverse kondo effect in the presence of crystalline electric field splitting: (La, Nd)Sn3

Schmid, W., Umlauf, E., Steglich, F., & Thalmeier, P. (1980). Reverse kondo effect in the presence of crystalline electric field splitting: (La, Nd)Sn3. Solid State Communications, 35(4), 325-327. doi:10.1016/0038-1098(80)90508-6.

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Urheber

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 Urheber:
Schmid, W.1, Autor
Umlauf, E.1, Autor
Steglich, F.2, Autor           
Thalmeier, P.1, Autor
Affiliations:
1external, ou_persistent22              
2External Organizations, ou_persistent22              

Inhalt

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Schlagwörter: -
 Zusammenfassung: Resistivity measurements on (,Nd)Sn3 between 0.35 K and 8 K show for the first time the existence of a reverse Kondo-effect in an alloy containing Kramers ions with crystalline electric field (CEF) splitting. The experimental results can be fitted by an extension of the CEF-theory employing higher order terms in the spin exchange scattering.

Details

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Sprache(n):
 Datum: 1980-07-07
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: ISI: A1980KD49400004
DOI: 10.1016/0038-1098(80)90508-6
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Solid State Communications
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: New York : Pergamon
Seiten: - Band / Heft: 35 (4) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 325 - 327 Identifikator: ISSN: 0038-1098
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954925445695