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  Enhancing the solubility of N in GaAs and InAs by surface kinetics

Abu-Farsakh, H., & Neugebauer, J. (2006). Enhancing the solubility of N in GaAs and InAs by surface kinetics. Poster presented at 28th International Conference on the Physics of Semiconductors, Vienna, Austria.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-58B0-1 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0002-8FE5-B
Genre: Poster

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Abu-Farsakh, H.1, Autor           
Neugebauer, J.1, Autor           
Affiliations:
1Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863337              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2006-07
 Publikationsstatus: Keine Angabe
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 289363
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Titel: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors
Veranstaltungsort: Vienna, Austria
Start-/Enddatum: 2006-07-24 - 2006-07-28

Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle

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