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  Chemical solution deposition derived buffer layers for MOCVD- grown GaN films

Puchinger, M., Wagner, T., Fini, P., Kisailus, D., Beck, U., Bill, J., et al. (2001). Chemical solution deposition derived buffer layers for MOCVD- grown GaN films. Journal of Crystal Growth, 233(1-2), 57-67.

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Basisdaten

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Genre: Zeitschriftenartikel
Alternativer Titel : J. Cryst. Growth

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:
28-ar_2001.pdf (Zusammenfassung), 62KB
 
Datei-Permalink:
-
Name:
28-ar_2001.pdf
Beschreibung:
-
OA-Status:
Sichtbarkeit:
Eingeschränkt (Max Planck Institute for Intelligent Systems, MSMT; )
MIME-Typ / Prüfsumme:
application/pdf
Technische Metadaten:
Copyright Datum:
-
Copyright Info:
eDoc_access: INSTITUT
Lizenz:
-

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Puchinger, M.1, Autor           
Wagner, T.2, Autor           
Fini, P.3, Autor
Kisailus, D.3, Autor
Beck, U.3, Autor
Bill, J.4, Autor           
Aldinger, F.4, 5, Autor           
Arzt, E.1, 6, Autor           
Lange, F. F.3, Autor
Affiliations:
1Former Dept. Micro/Nanomechanics of Thin Films and Biological Systems, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497655              
2Central Scientific Facility Thin Film Laboratory, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497640              
3Univ Stuttgart, Inst Nichtmet Anorgan Mat, Pulvermet Lab, D-70569 Stuttgart, Germany; Univ Stuttgart, Max Planck Inst Med Forsch, D-70569 Stuttgart, Germany; Univ Calif Santa Barbara, Dept Mat, Santa Barbara, CA 93106 USA, ou_persistent22              
4Universität Stuttgart, Institut für Nichtmetallische Anorganische Materialien, ou_persistent22              
5Former Dept. Materials Synthesis and Microstructure Design, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497654              
6Universität Stuttgart, Institut für Metallkunde, ou_persistent22              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Metallforschung; Abt. Aldinger; Abt. Arzt; Abt. Arzt; ZWE Dünnschichtlabor; metalorganic chemical vapor deposition; gallium compounds
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2001-11
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 20439
ISI: 000170986400010
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Journal of Crystal Growth
  Alternativer Titel : J. Cryst. Growth
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 233 (1-2) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 57 - 67 Identifikator: ISSN: 0022-0248