Ab initio based multiscale modeling of dislocations in GaN

Neugebauer, J.

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Ab initio based multiscale modeling of dislocations in GaN

Neugebauer, J. (2005). Ab initio based multiscale modeling of dislocations in GaN. Talk presented at E-MRS-Fall Meeting. Warsaw, Poland. 2005-09-05 - 2005-09-07.

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-5E77-2 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-5E79-D

Genre: Vortrag

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Urheber:
Neugebauer, J.¹, Autor

Affiliations:
1Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863337

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Publikationsstatus: Keine Angabe

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Ort, Verlag, Ausgabe: -

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Art der Begutachtung: -

Identifikatoren: eDoc: 289331

Art des Abschluß: -

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Titel: E-MRS-Fall Meeting

Veranstaltungsort: Warsaw, Poland

Start-/Enddatum: 2005-09-05 - 2005-09-07

Eingeladen: Ja

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