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  Prediction of Weak Topological Insulators in Layered Semiconductors

Yan, B., Müchler, L., & Felser, C. (2012). Prediction of Weak Topological Insulators in Layered Semiconductors. Physical Review Letters, 109(11): 116406, pp. 116406-1-116406-5. doi:10.1103/PhysRevLett.109.116406.

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Urheber

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 Urheber:
Yan, B.1, Autor           
Müchler, L.2, Autor           
Felser, C.3, Autor           
Affiliations:
1Binghai Yan, Inorganic Chemistry, Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society, ou_1863427              
2Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society, ou_1863404              
3Claudia Felser, Inorganic Chemistry, Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society, ou_1863429              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2012-09-13
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 619246
DOI: 10.1103/PhysRevLett.109.116406
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Physical Review Letters
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 109 (11) Artikelnummer: 116406 Start- / Endseite: 116406-1 - 116406-5 Identifikator: ISSN: 0031-9007