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Application of the full-potential linear augmented-plane-wave method to the study of electronic properties in semiconductors with d valence electrons

Zaoui, A., & Hassan, F. E. (2002). Application of the full-potential linear augmented-plane-wave method to the study of electronic properties in semiconductors with d valence electrons. Philosophical Magazine B-Physics of Condensed Matter Statistical Mechanics Electronic Optical and Magnetic Properties, 82(7), 791-800.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-3110-B Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-3111-9

Genre: Zeitschriftenartikel

Alternativer Titel : Philos. Mag. B-Phys. Condens. Matter Stat. Mech. Electron. Opt. Magn. Prop.

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Urheber

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Urheber:
Zaoui, A.¹, Autor
Hassan, F. E., Autor

Affiliations:
1Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497657

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Metallforschung; Abt. Rühle;

Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English

Datum: Erschienen: 2002-05-10

Publikationsstatus: Erschienen

Seiten: -

Ort, Verlag, Ausgabe: -

Inhaltsverzeichnis: -

Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung

Identifikatoren: eDoc: 6861
ISI: 000175210700004

Art des Abschluß: -

Veranstaltung

Entscheidung

Projektinformation

Quelle 1

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Titel: Philosophical Magazine B-Physics of Condensed Matter Statistical Mechanics Electronic Optical and Magnetic Properties

Alternativer Titel : Philos. Mag. B-Phys. Condens. Matter Stat. Mech. Electron. Opt. Magn. Prop.

Genre der Quelle: Zeitschrift

Urheber:

Affiliations:

Ort, Verlag, Ausgabe: -

Seiten: - Band / Heft: 82 (7) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 791 - 800 Identifikator: ISSN: 0141-8637