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  Observation and Origin of Extraordinary Atomic Mobility at Metal-Semiconductor Interfaces at Low Temperatures

Wang, Z., Jeurgens, L. P. H., Sigle, W., & Mittemeijer, E. J. (2015). Observation and Origin of Extraordinary Atomic Mobility at Metal-Semiconductor Interfaces at Low Temperatures. Physical Review Letters, 115(1-3): 016102. doi:10.1103/PhysRevLett.115.016102.

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Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Wang, Zumin1, Autor           
Jeurgens, Lars P. H.2, Autor
Sigle, Wilfried3, Autor           
Mittemeijer, Eric Jan1, 4, Autor           
Affiliations:
1Dept. Phase Transformations; Thermodynamics and Kinetics, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497644              
2Empa, Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, Laboratory for Joining Technologies and Corrosion, Ueberlandstrasse 129, 8600 Duebendorf, Switzerland, ou_persistent22              
3Stuttgart Center for Electron Microscopy, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497669              
4Institut für Materialwissenschaft, Universität Stuttgart, Heisenbergstraße 3, 70569 Stuttgart, Germany, ou_persistent22              

Inhalt

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Schlagwörter: Abt. Mittemeijer
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2015-07-022015-07
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: DOI: 10.1103/PhysRevLett.115.016102
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Physical Review Letters
  Kurztitel : Phys. Rev. Lett.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: Woodbury, N.Y. : American Physical Society
Seiten: - Band / Heft: 115 (1-3) Artikelnummer: 016102 Start- / Endseite: - Identifikator: ISSN: 0031-9007
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954925433406_1