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  Ordering phenomena and formation of nanostructures in InxGa1−xN layers coherently grown on GaN(0001)

Lee, S., Freysoldt, C., & Neugebauer, J. (2014). Ordering phenomena and formation of nanostructures in InxGa1−xN layers coherently grown on GaN(0001). Physical Review B, 90(24): 245301. doi:10.1103/PhysRevB.90.245301.

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Urheber

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 Urheber:
Lee, Sangheon1, Autor           
Freysoldt, Christoph1, Autor           
Neugebauer, Jörg2, Autor           
Affiliations:
1Defect Chemistry and Spectroscopy, Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863342              
2Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863337              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2014-10-092014-11-252014-12-08
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: 10
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: DOI: 10.1103/PhysRevB.90.245301
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Physical Review B
  Andere : Phys. Rev. B
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: 10 Band / Heft: 90 (24) Artikelnummer: 245301 Start- / Endseite: - Identifikator: ISSN: 1098-0121
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954925225008