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  Ultrafast THz saturable absorption in doped semiconductors

Turchinovich, D., & Hoffmann, M. C. (2011). Ultrafast THz saturable absorption in doped semiconductors. In 2011 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO). IEEE.

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Externe Referenzen

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Beschreibung:
-
OA-Status:

Urheber

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 Urheber:
Turchinovich, Dmitry1, Autor
Hoffmann, Matthias C.2, 3, Autor           
Affiliations:
1DTU Fotonik - Department of Photonics Engineering, Technical University of Denmark, Ørsteds Plads 343, DK-2800 Kgs. Lyngby, Denmark, ou_persistent22              
2Condensed Matter Dynamics Division, Max Planck Research Department for Structural Dynamics, Department of Physics, University of Hamburg, External Organizations, ou_2173637              
3CFEL, Notkestr. 85, 22607 Hamburg, Germany, ou_persistent22              

Inhalt

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Schlagwörter: OCIS codes: 320.7110 - Ultrafast nonlinear optics; 300.6495 - Terahertz spectroscopy; 320.7150 - Ultrafast spectroscopy; 320.5520 - Pulse compression
 Zusammenfassung: We demonstrate ultrafast THz saturable absorption in n-doped semiconductors by nonlinear THz time-domain spectroscopy. This effect is caused by the semiconductor conductivity modulation due to electron heating and satellite-valley scattering in strong THz fields.

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2011
 Publikationsstatus: Online veröffentlicht
 Seiten: 2
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Interne Begutachtung
 Identifikatoren: -
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Titel: Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO)
Veranstaltungsort: Baltimore, MD, USA
Start-/Enddatum: 2011-05-01 - 2011-05-06

Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: 2011 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO)
Genre der Quelle: Konferenzband
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: IEEE
Seiten: - Band / Heft: - Artikelnummer: JThB39 Start- / Endseite: - Identifikator: ISBN: 978-1-4577-1223-4