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  Influence of domain boundaries on polarity of GaN grown on sapphire

Zhou, H., Phillipp, F., Schröder, H., & Bell, J. M. (2005). Influence of domain boundaries on polarity of GaN grown on sapphire. Applied Surface Science, 252, 483-487.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-2829-7 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-282B-3
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Zhou, H.1, Autor
Phillipp, F.2, Autor           
Schröder, H.3, Autor           
Bell, J. M.1, Autor
Affiliations:
1Centre for Built Environment and Engineering Research, Queensland University of Technology, Brisbane, Qld 4001, Australia;KLEO Halbleitertechnik GmbH and Co. KG, 88069 Tettnang, Germany, ou_persistent22              
2Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, DE, ou_1497657              
3Dept. Metastable and Low-Dimensional Materials, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497645              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Metallforschung; Ehemalige Abt. Rühle; ZWE Hochspannungs-Mikroskopie;
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2005
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 241341
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Applied Surface Science
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 252 Artikelnummer: - Start- / Endseite: 483 - 487 Identifikator: -