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  Ab initio based multiscale modeling of dislocations in GaN

Neugebauer, J. (2005). Ab initio based multiscale modeling of dislocations in GaN. Talk presented at E-MRS-Fall Meeting. Warsaw, Poland. 2005-09-05 - 2005-09-07.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-5E77-2 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-5E79-D
Genre: Vortrag

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Neugebauer, J.1, Autor           
Affiliations:
1Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863337              

Inhalt

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Details

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Sprache(n):
 Datum:
 Publikationsstatus: Keine Angabe
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 289331
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Titel: E-MRS-Fall Meeting
Veranstaltungsort: Warsaw, Poland
Start-/Enddatum: 2005-09-05 - 2005-09-07
Eingeladen: Ja

Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle

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