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  The formation of a Schottky barrier: Na on GaAs(110)

Heinemann, M., & Scheffler, M. (1994). The formation of a Schottky barrier: Na on GaAs(110). Proc. 4th Int. Conf. on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-4), 297-300.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-210F-1 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-2111-A
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Heinemann, M.1, Autor           
Scheffler, Matthias1, Autor           
Lengeler, B., Herausgeber
Lüth, H., Herausgeber
Mönch, W., Herausgeber
Pollmann, J., Herausgeber
Affiliations:
1Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634547              

Inhalt

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Details

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Sprache(n):
 Datum: 1994
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 2215
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Proc. 4th Int. Conf. on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-4)
Genre der Quelle: Zeitschrift
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Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: - Artikelnummer: - Start- / Endseite: 297 - 300 Identifikator: -