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  Ab-initio calculations of hyperfine fields for chalcogen point defects and defect pairs in silicon: Identification of the pair atomic structure

Overhof, H., Scheffler, M., & Weinert, C. M. (1989). Ab-initio calculations of hyperfine fields for chalcogen point defects and defect pairs in silicon: Identification of the pair atomic structure. Materials Science and Engineering B, 4, 315-319.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-2324-A Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-2325-8
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Overhof, H.1, Autor
Scheffler, M.2, Autor           
Weinert, C. M., Autor
Affiliations:
1Max Planck Society, ou_persistent13              
2Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634547              

Inhalt

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Details

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Sprache(n):
 Datum: 1989
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 2910
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Materials Science and Engineering B
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
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Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 4 Artikelnummer: - Start- / Endseite: 315 - 319 Identifikator: -