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  Response of ultra-low dislocation density GaN photodetectors in the near- and vacuum-ultraviolet

Pau, J. L., Rivera, C., Muñoz, E., Calleja, E., Schühle, U., Frayssinet, E., et al. (2004). Response of ultra-low dislocation density GaN photodetectors in the near- and vacuum-ultraviolet. Journal of Applied Physics, 95, 8275-8279. doi:10.1063/1.1748855.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0014-F077-2 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0014-F078-F
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Pau, J. L., Autor
Rivera, C., Autor
Muñoz, E., Autor
Calleja, E., Autor
Schühle, U.1, 2, Autor           
Frayssinet, E., Autor
Beaumont, B., Autor
Faurie, J. P., Autor
Gibart, P., Autor
Affiliations:
1MPI for Aeronomy, Max Planck Institute for Solar System Research, Max Planck Society, ou_1832291              
2Department Sun and Heliosphere, Max Planck Institute for Solar System Research, Max Planck Society, ou_1832289              

Inhalt

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Schlagwörter: -
 MPIS_GROUPS: Sun and Heliosphere
 MPIS_PROJECTS: BOLD
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n):
 Datum: 2004
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: DOI: 10.1063/1.1748855
BibTex Citekey: Pau:2004-111
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Journal of Applied Physics
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 95 Artikelnummer: - Start- / Endseite: 8275 - 8279 Identifikator: -