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  The Influence of Structural Relaxation on the Valence-Band Offset at Semiconductor-Semiconductor Interfaces

Methfessel, M., Agrawal, B. K., & Scheffler, M. (1990). The Influence of Structural Relaxation on the Valence-Band Offset at Semiconductor-Semiconductor Interfaces. Proc. 20th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (ICPS-20), 989-992.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-22CF-9 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-22D1-1
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Methfessel, Michael1, Autor           
Agrawal, B. K., Autor
Scheffler, Matthias1, Autor           
Anastassakis, E. M., Herausgeber
Joannopoulos, J. D., Herausgeber
Affiliations:
1Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634547              

Inhalt

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Details

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Sprache(n):
 Datum: 1990
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 2088
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Proc. 20th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (ICPS-20)
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: - Artikelnummer: - Start- / Endseite: 989 - 992 Identifikator: -