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  The formation of a Schottky barrier: Na on GaAs(110)

Heinemann, M., & Scheffler, M. (1994). The formation of a Schottky barrier: Na on GaAs(110). Proc. 4th Int. Conf. on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-4), 297-300.

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基本情報

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-210F-1 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-2111-A
資料種別: 学術論文

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作成者

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 作成者:
Heinemann, M.1, 著者           
Scheffler, Matthias1, 著者           
Lengeler, B., 編集者
Lüth, H., 編集者
Mönch, W., 編集者
Pollmann, J., 編集者
所属:
1Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634547              

内容説明

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資料詳細

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言語:
 日付: 1994
 出版の状態: 出版
 ページ: -
 出版情報: -
 目次: -
 査読: -
 識別子（DOI, ISBNなど）: eDoc: 2215
 学位: -

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Project information

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出版物 1

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出版物名: Proc. 4th Int. Conf. on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-4)
種別: 学術雑誌
 著者・編者:
所属:
出版社, 出版地: -
ページ: - 巻号: - 通巻号: - 開始・終了ページ: 297 - 300 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: -