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  The formation of a Schottky barrier: Na on GaAs(110)

Heinemann, M., & Scheffler, M. (1994). The formation of a Schottky barrier: Na on GaAs(110). In B. Lengeler, H. Lüth, W. Mönch, & J. Pollmann (Eds.), Formation of Semiconductor Interfaces (pp. 297-300). Singapore: World Scientific.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-210F-1 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0007-AB8E-9
Genre: Konferenzbeitrag

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Heinemann, Martina1, Autor           
Scheffler, Matthias1, Autor           
Affiliations:
1Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634547              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 1994
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 2215
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Titel: 4th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI)
Veranstaltungsort: Jülich, Germany
Start-/Enddatum: 1993-06-14 - 1993-06-18

Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Formation of Semiconductor Interfaces
Genre der Quelle: Konferenzband
 Urheber:
Lengeler, Bruno, Herausgeber
Lüth, Hans, Herausgeber
Mönch, Winfried, Herausgeber
Pollmann, Johannes, Herausgeber
Affiliations:
-
Ort, Verlag, Ausgabe: Singapore : World Scientific
Seiten: - Band / Heft: - Artikelnummer: - Start- / Endseite: 297 - 300 Identifikator: ISBN: 9810215592