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  Ab-initio study of compositional anti-correlation of In and N in InGaAsN alloys

Abu-Farsakh, H., Neugebauer, J., & Albrecht, M. (2007). Ab-initio study of compositional anti-correlation of In and N in InGaAsN alloys. Poster presented at The 7th International Conference of Nitride Semiconductors (ICNS-7), Las Vegas, NV, USA.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-5054-F Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0002-91B7-B
Genre: Poster

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Abu-Farsakh, H.1, Autor           
Neugebauer, J.1, Autor           
Albrecht, M., Autor
Affiliations:
1Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863337              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2007-09
 Publikationsstatus: Keine Angabe
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 319953
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Titel: The 7th International Conference of Nitride Semiconductors (ICNS-7)
Veranstaltungsort: Las Vegas, NV, USA
Start-/Enddatum: 2007-09-16 - 2007-09-21

Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle

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