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  Polarization-induced charge carrier separation in polar and nonpolar grown GaN quantum dots

Marquardt, O., Hickel, T., & Neugebauer, J. (2009). Polarization-induced charge carrier separation in polar and nonpolar grown GaN quantum dots. Journal of Applied Physics, 106, 083707-1-083707-7. doi:10.1063/1.3246864.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-3E46-1 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-3E48-E
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Marquardt, O.1, Autor           
Hickel, T.1, Autor           
Neugebauer, J.2, Autor           
Affiliations:
1Computational Phase Studies, Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863341              
2Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863337              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2009-10-21
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 438998
DOI: 10.1063/1.3246864
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Journal of Applied Physics
  Alternativer Titel : J. Appl. Phys.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 106 Artikelnummer: - Start- / Endseite: 083707-1 - 083707-7 Identifikator: -