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  Dislocation and grain boundary energies in Si and Ge from an anharmonic bond charge model

Teichler, H., & Wilder, J. (1997). Dislocation and grain boundary energies in Si and Ge from an anharmonic bond charge model. Journal de Physique III, 7(12), 2281-2292.

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Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Teichler, H., Autor
Wilder, J.1, Autor           
Affiliations:
1MPI for Polymer Research, Max Planck Society, ou_1309545              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 1997
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 475895
Anderer: P-97-303
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Journal de Physique III
  Alternativer Titel : J. Phys. III
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 7 (12) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 2281 - 2292 Identifikator: -