Dislocation and grain boundary energies in Si and Ge from an anharmonic bond 
charge model

Teichler, H.; Wilder, J.

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Dislocation and grain boundary energies in Si and Ge from an anharmonic bond charge model

Teichler, H., & Wilder, J. (1997). Dislocation and grain boundary energies in Si and Ge from an anharmonic bond charge model. Journal de Physique III, 7(12), 2281-2292.

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-000F-5A2F-F Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-000F-5A30-9

Genre: Zeitschriftenartikel

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Urheber:
Teichler, H., Autor
Wilder, J.¹, Autor

Affiliations:
1MPI for Polymer Research, Max Planck Society, ou_1309545

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Sprache(n): eng - English

Datum: Erschienen: 1997

Publikationsstatus: Erschienen

Seiten: -

Ort, Verlag, Ausgabe: -

Inhaltsverzeichnis: -

Art der Begutachtung: -

Identifikatoren: eDoc: 475895
Anderer: P-97-303

Art des Abschluß: -

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Titel: Journal de Physique III

Alternativer Titel : J. Phys. III

Genre der Quelle: Zeitschrift

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Seiten: - Band / Heft: 7 (12) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 2281 - 2292 Identifikator: -

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