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  Refractive Index of Silicon at γ Ray Energies

Habs, D., Günther, M. M., Jentschel, M., & Urban, W. (2012). Refractive Index of Silicon at γ Ray Energies. Physical Review Letters, 108(18): 184802. doi:10.1103/PhysRevLett.108.184802.

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4364.pdf (Verlagsversion), 228KB
 
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4364.pdf
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Sichtbarkeit:
Eingeschränkt (Max Planck Institute of Quantum Optics, MGQO; )
MIME-Typ / Prüfsumme:
application/pdf
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-
Copyright Info:
eDoc_access: INSTITUT
Lizenz:
-

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Habs, Dietrich1, 2, Autor           
Günther, M. M.1, Autor           
Jentschel, M., Autor
Urban, W., Autor
Affiliations:
1Laboratory for Attosecond Physics, Max Planck Institute of Quantum Optics, Max Planck Society, ou_1445564              
2Laser Plasma Physics, Max Planck Institute of Quantum Optics, Max Planck Society, ou_1445567              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2012-05-01
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 610422
URI: http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.108.184802
DOI: 10.1103/PhysRevLett.108.184802
Anderer: 4364
 Art des Abschluß: -

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Physical Review Letters
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 108 (18) Artikelnummer: 184802 Start- / Endseite: - Identifikator: -