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  Mechanical stress evolution in metal interconnects for various line aspect ratios and passivation dielectrics

Park, Y. B., & Jeon, I. S. (2003). Mechanical stress evolution in metal interconnects for various line aspect ratios and passivation dielectrics. Microelectronic Engineering, 69(1), 26-36.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-2C6E-D Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-2C6F-B
Genre: Zeitschriftenartikel
Alternativer Titel : Microelectron. Eng.

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Park, Y. B.1, Autor           
Jeon, I. S.2, Autor
Affiliations:
1Former Dept. Micro/Nanomechanics of Thin Films and Biological Systems, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497655              
2Hynix Semiconductor, Ichon 467701, South Korea., ou_persistent22              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Metallforschung; Abt. Arzt; thermal stress, metal interconnect, aspect ratio, passivation dielectrics, keyholes
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2003-08
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 112716
ISI: 000184675700004
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Microelectronic Engineering
  Alternativer Titel : Microelectron. Eng.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 69 (1) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 26 - 36 Identifikator: ISSN: 0167-9317