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  Quantitative analysis of dislocation arrangements induced by electromigration in a passivated Al (0.5 wt % Cu) interconnect

Barabash, R. I., Ice, G. E., Tamura, N., Valek, B. C., Bravman, J. C., Spolenak, R., et al. (2003). Quantitative analysis of dislocation arrangements induced by electromigration in a passivated Al (0.5 wt % Cu) interconnect. Journal of Applied Physics, 93(9), 5701-5706.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-2CB5-B Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-2CB6-9
Genre: Zeitschriftenartikel
Alternativer Titel : J. Appl. Phys.

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Barabash, R. I.1, Autor
Ice, G. E.1, Autor
Tamura, N.1, Autor
Valek, B. C.1, Autor
Bravman, J. C.1, Autor
Spolenak, R.2, Autor           
Patel, J. R.1, Autor
Affiliations:
1Oak Ridge Natl Lab, Div Met & Ceram, Oak Ridge, TN 37831 USA.; Adv Light Source, Berkeley, CA 94720 USA.; Stanford Univ, Dept Mat Sci & Engn, Stanford, CA 94305 USA.; Stanford Synchrotron Radiat Labs, Stanford, CA 94309 USA., ou_persistent22              
2Former Dept. Micro/Nanomechanics of Thin Films and Biological Systems, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497655              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Metallforschung; Abt. Arzt;
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2003-05-01
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 112654
ISI: 000182296700108
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Journal of Applied Physics
  Alternativer Titel : J. Appl. Phys.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 93 (9) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 5701 - 5706 Identifikator: ISSN: 0021-8979