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  Chemical solution deposition derived buffer layers for MOCVD- grown GaN films

Puchinger, M., Wagner, T., Fini, P., Kisailus, D., Beck, U., Bill, J., Aldinger, F., Arzt, E., & Lange, F. F. (2001). Chemical solution deposition derived buffer layers for MOCVD- grown GaN films. Journal of Crystal Growth, 233(1-2), 57-67.

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基本情報

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資料種別: 学術論文
その他のタイトル : J. Cryst. Growth

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28-ar_2001.pdf (要旨), 62KB
 
ファイルのパーマリンク:
-
ファイル名:
28-ar_2001.pdf
説明:
-
OA-Status:
閲覧制限:
制限付き (Max Planck Institute for Intelligent Systems, MSMT; )
MIMEタイプ / チェックサム:
application/pdf
技術的なメタデータ:
著作権日付:
-
著作権情報:
eDoc_access: INSTITUT
CCライセンス:
-

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作成者

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 作成者:
Puchinger, M.1, 著者           
Wagner, T.2, 著者           
Fini, P.3, 著者
Kisailus, D.3, 著者
Beck, U.3, 著者
Bill, J.4, 著者           
Aldinger, F.4, 5, 著者           
Arzt, E.1, 6, 著者           
Lange, F. F.3, 著者
所属:
1Former Dept. Micro/Nanomechanics of Thin Films and Biological Systems, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497655              
2Central Scientific Facility Thin Film Laboratory, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497640              
3Univ Stuttgart, Inst Nichtmet Anorgan Mat, Pulvermet Lab, D-70569 Stuttgart, Germany; Univ Stuttgart, Max Planck Inst Med Forsch, D-70569 Stuttgart, Germany; Univ Calif Santa Barbara, Dept Mat, Santa Barbara, CA 93106 USA, ou_persistent22              
4Universität Stuttgart, Institut für Nichtmetallische Anorganische Materialien, ou_persistent22              
5Former Dept. Materials Synthesis and Microstructure Design, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497654              
6Universität Stuttgart, Institut für Metallkunde, ou_persistent22              

内容説明

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キーワード: MPI für Metallforschung; Abt. Aldinger; Abt. Arzt; Abt. Arzt; ZWE Dünnschichtlabor; metalorganic chemical vapor deposition; gallium compounds
 要旨: -

資料詳細

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言語: eng - English
 日付: 2001-11
 出版の状態: 出版
 ページ: -
 出版情報: -
 目次: -
 査読: 査読あり
 識別子(DOI, ISBNなど): eDoc: 20439
ISI: 000170986400010
 学位: -

関連イベント

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訴訟

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Project information

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出版物 1

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出版物名: Journal of Crystal Growth
  出版物の別名 : J. Cryst. Growth
種別: 学術雑誌
 著者・編者:
所属:
出版社, 出版地: -
ページ: - 巻号: 233 (1-2) 通巻号: - 開始・終了ページ: 57 - 67 識別子(ISBN, ISSN, DOIなど): ISSN: 0022-0248