Preparation and optical properties of Ge and C-induced Ge dots on Si

Eberl, K.; Schmidt, O. G.; Kienzle, O.; Ernst, F.

Preparation and optical properties of Ge and C-induced Ge dots on Si

Eberl, K., Schmidt, O. G., Kienzle, O., & Ernst, F. (2000). Preparation and optical properties of Ge and C-induced Ge dots on Si. In S., Moss (Ed.), Semiconductor Quantum Dots (pp. 355-362). Warrendale, Pa.: MRS.

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-378C-3 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-378D-1

資料種別: 会議論文

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Eberl, K., 著者
Schmidt, O. G., 著者
Kienzle, O.¹, 著者
Ernst, F.¹, 著者

所属:
1Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497657

内容説明

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キーワード: MPI für Metallforschung; Ehemalige Abt. Rühle;

要旨: -

資料詳細

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言語: eng - English

日付: 出版: 2000

出版の状態: 出版

ページ: -

出版情報: -

目次: -

査読: -

識別子（DOI, ISBNなど）: eDoc: 43785

学位: -

訴訟

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Project information

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出版物 1

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出版物名: Semiconductor Quantum Dots

種別: 会議論文集

著者・編者:
Moss, S.C., 編集者

所属:
-

出版社, 出版地: Warrendale, Pa. : MRS

ページ: - 巻号: - 通巻号: - 開始・終了ページ: 355 - 362 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: -

出版物 2

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出版物名: Materials Research Society Symposia proceedings

種別: 連載記事

著者・編者:
Materials Research Society, 編集者

所属:
-

出版社, 出版地: -

ページ: - 巻号: 571 通巻号: - 開始・終了ページ: - 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: -

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