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Quantitative high-resolution electron microscopy studies of strain distribution and defect formation in III-V semiconductor quantum dots

Jin-Phillipp, N. Y., Du, K., & Phillipp, F. (2000). Quantitative high-resolution electron microscopy studies of strain distribution and defect formation in III-V semiconductor quantum dots. In K. Yoshihara (Ed.), Fabrication and Characterization of Atomic Scale Structures. Proceedings of the 5th International Symposium on Advanced Physical Fields (pp. 33-39). Tokyo: National Research Institute for Metals.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-37C4-1 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-37C6-E

Genre: Konferenzbeitrag

Dateien

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Externe Referenzen

Urheber

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Urheber:
Jin-Phillipp, N. Y.¹, Autor
Du, K.¹, Autor
Phillipp, F.¹, Autor

Affiliations:
1Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497657

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Metallforschung; Abt. Rühle; ZWE Hochspannungs-Mikroskopie;

Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English

Datum: Erschienen: 2000

Publikationsstatus: Erschienen

Seiten: -

Ort, Verlag, Ausgabe: -

Inhaltsverzeichnis: -

Art der Begutachtung: -

Identifikatoren: eDoc: 46914

Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Titel: Fabrication and Characterization of Atomic Scale Structures. 5th International Symposium on Advanced Physical Fields (APF-5)

Veranstaltungsort: Tsukuba, Japan

Start-/Enddatum: 2000-03-06 - 2000-03-09

Entscheidung

Projektinformation

Quelle 1

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Titel: Fabrication and Characterization of Atomic Scale Structures. Proceedings of the 5th International Symposium on Advanced Physical Fields

Genre der Quelle: Konferenzband

Urheber:
Yoshihara, K., Herausgeber

Affiliations:
-

Ort, Verlag, Ausgabe: Tokyo : National Research Institute for Metals

Seiten: - Band / Heft: - Artikelnummer: - Start- / Endseite: 33 - 39 Identifikator: -