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  Effect of overgrowth temperature on the photoluminescence of Ge/Si islands

Schmidt, O. G., Denker, U., Eberl, K., Kienzle, O., & Ernst, F. (2000). Effect of overgrowth temperature on the photoluminescence of Ge/Si islands. Applied Physics Letters, 77, 2509-2511.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-39FD-6 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-39FE-4
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Schmidt, O. G.1, Autor
Denker, U.1, Autor
Eberl, K.1, Autor
Kienzle, O.2, Autor           
Ernst, F.2, Autor           
Affiliations:
1Max Planck Society, ou_persistent13              
2Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497657              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Metallforschung; MPI für Festkörperforschung; Ehemalige Abt. Rühle;
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2000
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 245065
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Applied Physics Letters
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 77 Artikelnummer: - Start- / Endseite: 2509 - 2511 Identifikator: -