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  Influence of cooling rate on the dislocations and related luminescence in LPE SiGe layers grown on Si (100) substrates

Sembian, A. M., Banhart, F., Konuma, M., Weber, J., Moorthy Babuc, S., & Ramasamyc, P. (2000). Influence of cooling rate on the dislocations and related luminescence in LPE SiGe layers grown on Si (100) substrates. Thin Solid Films, 372, 1-5.

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Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Sembian, A. M.1, Autor
Banhart, F.2, Autor           
Konuma, M.1, Autor
Weber, J.1, Autor
Moorthy Babuc, S.3, Autor
Ramasamyc, P.3, Autor
Affiliations:
1Max Planck Society, ou_persistent13              
2Emeriti and Others, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497650              
3Crystal Growth Centre, Anna Uni®ersity, Chennai 600 025, India, ou_persistent22              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Metallforschung; MPI für Festkörperforschung; Abt. Dosch;
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2000
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 245073
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Thin Solid Films
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 372 Artikelnummer: - Start- / Endseite: 1 - 5 Identifikator: -