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  An efficient, simple, and precise way to map strain with nanometer resolution in semiconductor devices

Koch, C. T., Özdöl, V. B., & van Aken, P. A. (2010). An efficient, simple, and precise way to map strain with nanometer resolution in semiconductor devices. Applied Physics Letters, 96: 091901. doi:10.1063/1.3337090.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-3B6C-9 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-3B6D-7
Genre: Zeitschriftenartikel
Alternativer Titel : APL

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Koch, C. T.1, 2, Autor           
Özdöl, V. B.2, Autor           
van Aken, P. A.2, Autor           
Affiliations:
1Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497657              
2Stuttgart Center for Electron Microscopy, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497669              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Metallforschung; Stuttgart Center for Electron Microscopy (StEM);
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2010
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: 3 pages
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 460305
DOI: 10.1063/1.3337090
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Applied Physics Letters
  Alternativer Titel : APL
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 96 Artikelnummer: 091901 Start- / Endseite: - Identifikator: -