A nondamaging electron microscopy approach to map In distribution in InGaN 
light-emitting diodes

Özdöl, V. B.; Koch, C. T.; van Aken, P. A.

doi:10.1063/1.3476285

A nondamaging electron microscopy approach to map In distribution in InGaN light-emitting diodes

Özdöl, V. B., Koch, C. T., & van Aken, P. A. (2010). A nondamaging electron microscopy approach to map In distribution in InGaN light-emitting diodes. Journal of Applied Physics, 108(5):. doi:10.1063/1.3476285.

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-3C39-4 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-3C3A-2

資料種別: 学術論文

その他のタイトル : JAP

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Özdöl, V. B.¹, 著者
Koch, C. T.^{1, 2}, 著者
van Aken, P. A.¹, 著者

所属:
1Stuttgart Center for Electron Microscopy, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497669
2Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497657

内容説明

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キーワード: MPI für Intelligente Systeme; Stuttgart Center for Electron Microscopy (StEM);

要旨: -

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言語: eng - English

日付: 出版: 2010

出版の状態: 出版

ページ: -

出版情報: -

目次: -

査読: 査読あり

識別子（DOI, ISBNなど）: eDoc: 508131
DOI: 10.1063/1.3476285

学位: -

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出版物名: Journal of Applied Physics

出版物の別名 : JAP

種別: 学術雑誌

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出版社, 出版地: -

ページ: - 巻号: 108 (5) 通巻号: 056103 開始・終了ページ: - 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: -

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