Control of bonding and epitaxy at copper/sapphire interface

Oh, S. H.; Scheu, C.; Wagner, T.; Rühle, M.

Control of bonding and epitaxy at copper/sapphire interface

Oh, S. H., Scheu, C., Wagner, T., & Rühle, M. (2007). Control of bonding and epitaxy at copper/sapphire interface. Applied Physics Letters, 91, 141912-141914.

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-422A-A 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-422B-8

資料種別: 学術論文

その他のタイトル : Appl. Phys. Lett.

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Oh, S. H., 著者
Scheu, C., 著者
Wagner, T.¹, 著者
Rühle, M.², 著者

所属:
1Central Scientific Facility Thin Film Laboratory, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497640
2Emeriti and Others, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, DE, ou_1497650

内容説明

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キーワード: MPI für Metallforschung; MPI für Festkörperforschung; Emeriti and Others;

要旨: -

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言語: eng - English

日付: 出版: 2007-10-03

出版の状態: 出版

ページ: -

出版情報: -

目次: -

査読: 査読あり

識別子（DOI, ISBNなど）: eDoc: 320804

学位: -

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出版物 1

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出版物名: Applied Physics Letters

出版物の別名 : Appl. Phys. Lett.

種別: 学術雑誌

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出版社, 出版地: -

ページ: - 巻号: 91 通巻号: - 開始・終了ページ: 141912 - 141914 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: -

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