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  Subsurface enrichment of Co in Si (100) at initial stages of growth at room temperature: a study by high-resolution Rutherford backscattering

Dash, S. P., Goll, D., & Carstanjen, H. D. (2007). Subsurface enrichment of Co in Si (100) at initial stages of growth at room temperature: a study by high-resolution Rutherford backscattering. Applied Physics Letters, 90: 132109. doi:10.1063/1.2717525.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-4365-7 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-4366-5
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Dash, S. P.1, Autor           
Goll, D.1, 2, Autor           
Carstanjen, H. D.1, 3, Autor           
Affiliations:
1Dept. Modern Magnetic Systems, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497648              
2Former Minerva Research Group Magnetic Nanostructures, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497662              
3Former Central Scientific Facility Pelletron Accelerator, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497653              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Intelligente Systeme; Abt. Schütz; Selbständige wissenschaftliche Nachwuchsgruppe Goll;
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2007
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: (3 pages)
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 317042
DOI: 10.1063/1.2717525
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Applied Physics Letters
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 90 Artikelnummer: 132109 Start- / Endseite: - Identifikator: -