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  Oligothiophene-based monolayer field-effect transistors prepared by Langmuir-Blodgett technique

Sizov, A. S., Agina, E. V., Gholamrezaie, F., Bruevich, V. V., Borshchev, O. V., Paraschuk, D. Y., et al. (2013). Oligothiophene-based monolayer field-effect transistors prepared by Langmuir-Blodgett technique. Applied Physics Letters, 103(4): 043310. doi:10.1063/1.4816839.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0014-4AEF-5 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0014-4AF0-0
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Sizov, A. S., Autor
Agina, E. V., Autor
Gholamrezaie, Fatemeh1, Autor           
Bruevich, V. V., Autor
Borshchev, O. V., Autor
Paraschuk, D. Y., Autor
de Leeuw, Dago M.1, Autor           
Ponomarenko, S. A., Autor
Affiliations:
1Dept. Blom: Molecular Electronics, MPI for Polymer Research, Max Planck Society, ou_1800284              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2013
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: DOI: 10.1063/1.4816839
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Applied Physics Letters
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: Melville, NY : American Institute of Physics
Seiten: - Band / Heft: 103 (4) Artikelnummer: 043310 Start- / Endseite: - Identifikator: ISSN: 0003-6951
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954922836223