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  A p-type Heusler compound: Growth, structure, and properties of epitaxial thin NiYBi films on MgO(100)

Shan, R., Ouardi, S., Fecher, G. H., Gao, L., Kellock, A., Gloskovskii, A., et al. (2012). A p-type Heusler compound: Growth, structure, and properties of epitaxial thin NiYBi films on MgO(100). Applied Physics Letters, 101(21): 212102, pp. 212102-1-212102-4. doi:10.1063/1.4764520.

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Urheber

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 Urheber:
Shan, R., Autor
Ouardi, S.1, Autor           
Fecher, G. H.2, Autor           
Gao, L., Autor
Kellock, A., Autor
Gloskovskii, A., Autor
Viol Barbosa, C. E.3, Autor           
Ikenaga, E., Autor
Felser, C.4, Autor           
Parkin, S. S. P., Autor
Affiliations:
1Siham Ouardi, Inorganic Chemistry, Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society, ou_1863439              
2Gerhard Fecher, Inorganic Chemistry, Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society, ou_1863431              
3Inorganic Chemistry, Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society, ou_1863425              
4Claudia Felser, Inorganic Chemistry, Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society, ou_1863429              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2012-11-21
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 628684
DOI: 10.1063/1.4764520
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Applied Physics Letters
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 101 (21) Artikelnummer: 212102 Start- / Endseite: 212102-1 - 212102-4 Identifikator: ISSN: 0003-6951