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  Skyrmion lattice in the doped semiconductor Fe1-xCoxSi

Münzer, W., Neubauer, A., Adams, T., Mühlbauer, S., Franz, C., Jonietz, F., et al. (2010). Skyrmion lattice in the doped semiconductor Fe1-xCoxSi. Physical Review B, 81: 041203, pp. 041203-1-041203-4. doi:10.1103/PhysRevB.81.041203.

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Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Münzer, W., Autor
Neubauer, A., Autor
Adams, T., Autor
Mühlbauer, S., Autor
Franz, C., Autor
Jonietz, F., Autor
Georgii, R., Autor
Böni, P., Autor
Pedersen, B., Autor
Schmidt, M.1, Autor           
Rosch, A., Autor
Pfleiderer, C., Autor
Affiliations:
1Marcus Schmidt, Chemical Metal Science, Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society, ou_1863415              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2010-01-20
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 460451
ISI: 000274002500005
DOI: 10.1103/PhysRevB.81.041203
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Physical Review B
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 81 Artikelnummer: 041203 Start- / Endseite: 041203-1 - 041203-4 Identifikator: ISSN: 1098-0121