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  Growth and characterization of Sc-doped EuO thin films

Altendorf, S. G., Reisner, A., Chang, C. F., Hollmann, N., Rata, A. D., & Tjeng, L. H. (2014). Growth and characterization of Sc-doped EuO thin films. Applied Physics Letters, 104(5): 052403, pp. 1-4. doi:10.1063/1.4863752.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0018-865C-3 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-002D-589E-2
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Altendorf, S. G.1, Autor           
Reisner, A.2, Autor           
Chang, C. F.3, Autor           
Hollmann, N.4, Autor           
Rata, A. D.5, Autor           
Tjeng, L. H.6, Autor           
Affiliations:
1Simone Altendyorf, Phsics of Correlated Matter, Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society, ou_1863458              
2Physics of Correlated Matter, Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society, ou_1863445              
3Chun-Fu Chang, Physics of Correlated Matter, Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society, ou_1863447              
4Nils Hollmann, Physics of Correlated Matter, Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society, ou_1863456              
5Diana Rata, Physics of Correlated Matter, Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society, ou_1863449              
6Liu Hao Tjeng, Physics of Correlated Matter, Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society, ou_1863452              

Inhalt

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Schlagwörter: -
 Zusammenfassung: The preparation of 3d-transition metal-doped EuO thin films by molecular beam epitaxy is investigated using the example of Sc doping. The Sc-doped EuO samples display a good crystalline structure, despite the relatively small ionic radius of the dopant. The Sc doping leads to an enhancement of the Curie temperature to up to 125 K, remarkably similar to previous observations on lanthanide-doped EuO. (C) 2014 AIP Publishing LLC.

Details

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Sprache(n):
 Datum: 2014-02-03
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: ISI: 000331644100069
DOI: 10.1063/1.4863752
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Applied Physics Letters
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: Melville, NY : American Institute of Physics
Seiten: - Band / Heft: 104 (5) Artikelnummer: 052403 Start- / Endseite: 1 - 4 Identifikator: Anderer: 0003-6951
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954922836223