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Datensatz

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  I-II-V half-Heusler compounds for optoelectronics: Ab initio calculations

Kieven, D., Klenk, R., Naghavi, S., Felser, C., & Gruhn, T. (2010). I-II-V half-Heusler compounds for optoelectronics: Ab initio calculations. Physical Review B, 81(7): 075208, pp. 1-6. doi:10.1103/PhysRevB.81.075208.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: http://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0018-9D55-3 Versions-Permalink: http://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0018-9D5C-6
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Kieven, David1, Autor
Klenk, Reiner1, Autor
Naghavi, Shahab1, Autor
Felser, Claudia2, Autor              
Gruhn, Thomas, Autor
Affiliations:
1external, ou_persistent22              
2External Organizations, ou_persistent22              

Inhalt

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Schlagwörter: -
 Zusammenfassung: Half-Heusler compounds XYZ crystallize in the space group F (4) over bar 3m and can be viewed as a zinc-blende-like (YZ)(-) lattice partially filled with He-like X(+) interstitials. In this work, we investigated I-II-V (eight-electrons) half-Heusler compounds by first-principles calculations in order to find suitable semiconductors for optoelectronics such as Cd-free buffer layer materials for chalcopyrite-based thin-film solar-cell devices. We report a systematic examination of band gaps and lattice parameters, depending on the electronegativities and the ion radii of the involved elements. Half-Heusler buffer materials should have a band gap of more than 2 eV to avoid absorption losses and a lattice constant of about 5.9 angstrom to match the crystal structure of the absorber material. With these criteria we selected seven half-Heusler compounds as candidates for a buffer layer material.

Details

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Sprache(n):
 Datum: 2010-02-11
 Publikationsstatus: Im Druck publiziert
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: ISI: 000274998200063
DOI: 10.1103/PhysRevB.81.075208
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Physical Review B
  Andere : Phys. Rev. B
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: Woodbury, NY : American Physical Society
Seiten: - Band / Heft: 81 (7) Artikelnummer: 075208 Start- / Endseite: 1 - 6 Identifikator: ISSN: 1098-0121
CoNE: /journals/resource/954925225008