Understanding and overcoming doping limits in GaN

Neugebauer, J.

アイテム詳細

登録内容を編集ファイル形式で保存

一時保存へ追加

Understanding and overcoming doping limits in GaN

Neugebauer, J. (2013). Understanding and overcoming doping limits in GaN. Talk presented at SPIE Photonics West 2013. San Francisco, CA, USA. 2013-02-02 - 2013-02-07.

Item is 公開

表示: 全項目非表示: 全項目

基本情報

表示: 非表示:

アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-2516-C 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0028-47EE-4

資料種別: 講演

ファイル

表示: ファイル

作成者

表示:

非表示:

作成者:
Neugebauer, J.¹, 著者

所属:
1Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863337

内容説明

表示:

資料詳細

表示:

非表示:

言語: eng - English

日付: 作成: 2013-02

出版の状態: 不明

ページ: -

出版情報: -

目次: -

査読: -

識別子（DOI, ISBNなど）: eDoc: 671086

学位: -

アイテム詳細

基本情報

ファイル

関連URL

作成者

内容説明

資料詳細

関連イベント

訴訟

Project information

出版物