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  Blocking Growth by an Electrically Active Subsurface Layer: The Effect of Si as an Antisurfactant in the Growth of GaN

Markurt, T., Lymperakis, L., Neugebauer, J., Drechsel, P., Stauß, P., Schulz, T., et al. (2013). Blocking Growth by an Electrically Active Subsurface Layer: The Effect of Si as an Antisurfactant in the Growth of GaN. Physical Review Letters, 110(3): 036103. doi:10.1103/PhysRevLett.110.036103.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-2536-4 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0025-76A8-1
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Markurt, Toni1, Autor           
Lymperakis, Liverios2, Autor           
Neugebauer, Jörg3, Autor           
Drechsel, Philipp4, Autor           
Stauß, Peter4, Autor           
Schulz, Tobias5, Autor           
Remmele, Thilo1, Autor           
Grillo, Vincenzo6, 7, Autor           
Rotunno, Enzo6, Autor           
Albrecht, Martin R.8, Autor           
Affiliations:
1Leibniz Institute for Crystal Growth, Max-Born-Strasse 2, 12489 Berlin, Germany, ou_persistent22              
2Microstructure, Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863344              
3Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863337              
4OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstrasse 4, 93055 Regensburg, Germany, ou_persistent22              
5Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, Max-Born-Straße 2, 12489 Berlin, Germany, ou_persistent22              
6National Research Centre IMEM-CNR, Parco Area delle Scienze 37/A, 43124 Parma, Italy, ou_persistent22              
7National Research Centre S3 CNR-INFM, Via Campi 213/A, 41125 Modena, Italy, ou_persistent22              
8Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, Max-Born-Straße 2, Berlin, Germany, ou_persistent22              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2013-01-18
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 670850
DOI: 10.1103/PhysRevLett.110.036103
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Physical Review Letters
  Kurztitel : Phys. Rev. Lett.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: Woodbury, N.Y. : American Physical Society
Seiten: 5 Band / Heft: 110 (3) Artikelnummer: 036103 Start- / Endseite: - Identifikator: ISSN: 0031-9007
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954925433406_1